STMicroelectronics

STL12N10F7 STripFET™ F7 功率 MOSFET

STMicroelectronics 的 STL12N10F7 采用 STripFET F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低导通电阻

STMicroelectronics 的 STL12N10F7 STripFET™F7 功率 MOSFET 图STMicroelectronics 的 STL12N10F7 N 沟道 100 V、11.3mΩ 典型电阻、12 A 功率 MOSFET 采用PowerFLAT™3.3 x 3.3 封装和 STripFET F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构且可实现极低导通电阻，同时还可降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。

特性

  • 市面上最小的 RDS(ON)
  • 出色的 FoM（品质因数）
  • 最低 Crss/Ciss 比率，以增强抗 EMI 性能
  • 高雪崩稳固性
发布日期： 2018-10-09