SICU02120G4J-TP 1200V 2A 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒整流器

MCC SICU02120G4J-TP 1200 V 2 A 碳化硅肖特基二极管是高效、高速和高温功率转换的理想选择

MCC SICU02120G4J-TP 碳化硅肖特基势垒整流器的图片Micro Commercial Components SICU02120G4J-TP 高压 2 A SiC 肖特基势垒整流器采用行业标准的 DPAK 封装。利用 SiC 的优异材料特性,该二极管消除了反向恢复电荷 (Qrr),这是传统硅二极管开关损耗的主要来源。它专为高压、高频功率转换系统中的高效性能而设计,具有卓越的可靠性、更高的工作温度和更低的电磁干扰。

特性
  • 零反向恢复电流消除了反向恢复损耗,从而提高了效率。
  • 采用正温度系数设计,正向电压 (V) 随温度升高而增大,从而增强了热稳定性,并便于并联运行,以实现更高的电流能力。
  • 具备超快的开关速度,使其成为高频电路的理想选择。
  • 能够在更高的结温 (Tj max = +175°C)下工作,可提高系统稳健性并降低冷却需求。
  • DPAK 封装采用通用尺寸,便于设计集成,并且其裸露的散热垫使其具有良好的功率处理能力。
  • 符合 RoHS 指令,且不含卤素,符合全球环境标准和绿色制造倡议。
应用
  • 功率因数校正 (PFC)
  • 开关模式电源
  • 太阳能逆变器
  • 感应加热和 UPS 系统

SICU02120G4J-TP 1200 V 2 A Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Rectifier

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SIC SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER,DSICU02120G4J-TPSIC SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER,D2500 - 立即发货$1.48查看详情
发布日期: 2025-11-18