CPC3981Z 系列 N 沟道耗尽型 MOSFET

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            CPC3981Z 系列 N 沟道耗尽型 MOSFET
  
                    IXYS 的 CPC3981Z 800 V 阻断电压 MOSFET 采用 SOT-223-2L 封装，爬电距离最小为 3.3 mm

IXYS（Littelfuse Technology 的 CPC3981Z 系列 N 沟道耗尽型 MOSFET）图片来自 Littelfuse Technology 旗下 IXYS 的 CPC3981Z MOSFET 提供了在没有电源时（例如电路上电或断电期间）闭合开关的功能。N 沟道耗尽型 MOSFET 通常位于通过施加负栅源电压而关断的器件上。CPC3981Z 采用 SOT-223-2L 封装，是一个独特的阻断电压为 800 V 的 N 沟道耗尽型 MOSFET，最小爬电距离为 3.3 mm。