CoolSiC™ Easy 2B 电源模块

当使用碳化硅 (SiC) 半导体替代硅 IGBT 时，由于支持更高的工作温度和开关频率，可以提高整体系统效率。Infineon CoolSiC MOSFET 采用最先进的沟槽式半导体技术，经过优化，可在应用中实现最低损耗并在运行时实现最高可靠性。

除了分立解决方案外，Infineon 还提供多种封装的 CoolSiC MOSFET 电源模块，包括 Easy 1B 和 2B 封装，以及 Easy 3B、62 mm 和 EconoDUAL™ 封装。它们具有多种配置，包括 3 级、半桥、全桥、Sixpack 等。对于寻求灵活、可扩展电源模块解决方案的客户来说，Easy 系列是最佳选择，具有极低的模块杂散电感和扩展的最大栅源电压。Infineon 提供最广泛的无基板封装产品组合，高度为 12 mm。灵活的引脚栅格系统非常适合定制布局和引脚分配。

FF4MR12W2M1H_B70 EasyDUAL™ 2B CoolSiC MOSFET 半桥模块（1,200 V、4 mΩ）和 FF6MR20W2M1H_B70 EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET 半桥模块（2,000 V、6 mΩ）采用最先进的沟槽技术，具有卓越的栅极氧化物可靠性以及一流的开关和传导损耗。两者都包括集成 NTC 温度传感器、PressFIT 触头技术和氮化铝陶瓷。