采用多芯片封装的 HyperFlash 和 HyperRAM

Infineon HyperFlash™ 和 HyperRAM™ 多芯片封装 (MCP) 是一种结合了高速 NOR Flash 存储器的解决方案，可实现快速引导、即时启动并带自刷新的 DRAM，采用更紧凑 （8 mm x 6 mm)、低引脚数的 24 BGA 封装。这一完整的 NOR 闪存/DRAM 存储器子系统基于 Infineon HyperBus™ 接口，是空间受限型和成本优化的物联网和嵌入式设计的理想解决方案。

HyperFlash 和 HyperRAM MCP 系列利用 Infineon 的 12 引脚 HyperBus™ 接口，该接口与分立的 HyperFlash 和 HyperRAM 产品具有相同的基底面。这种常见的基底面能够让设计工程师实现单焊盘布局，支持分立式器件或 HyperFlash 和 HyperRAM MCP，允许在设计或产品生命周期的任一点中做出更改，而不会影响电路板布局。这种灵活性在单一平台设计的基础上提供了差异化的最终产品，从而节省开发时间并将成本降至最低。该器件的引脚数降低了 70%，并且比同类 SDRAM 和四通道 SPI 存储器解决方案竞争产品节省 77% 的空间。

HyperFlash 和 HyperRAM MCP 是车载组合仪表和信息娱乐系统、通信设备、工业应用和高性能消费类产品等多种嵌入式应用的理想解决方案。该产品具备 industrial-plus（-40 °C 至 105 °C）温度范围。