SiC(Silicon Carbide)Schottky 单二极管

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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
电流 - 平均整流 (Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
速度
反向恢复时间 (trr)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 Vr、F 时电容
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
工作温度 - 结
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252
Wolfspeed, Inc.
2,626
现货
1 : $3.59000
剪切带(CT)
2,500 : $1.15624
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
600 V
13.5A
1.8 V @ 4 A
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
-
50 µA @ 600 V
251pF @ 0V,1MHz
-
-
表面贴装型
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
DO-214AA, SMB
DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
Navitas Semiconductor, Inc.
10,749
现货
1 : $4.11000
剪切带(CT)
3,000 : $1.25844
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
1A
2 V @ 1 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
10 µA @ 6.5 V
76pF @ 1V,1MHz
-
-
表面贴装型
DO-214AA,SMB
DO-214AA
-55°C ~ 175°C
DPAK
DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
STMicroelectronics
11,048
现货
1 : $4.18000
剪切带(CT)
2,500 : $1.46652
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1200 V
5A
1.5 V @ 2 A
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
-
12 µA @ 1200 V
190pF @ 0V,1MHz
-
-
表面贴装型
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK
-40°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522
Wolfspeed, Inc.
6,047
现货
1 : $4.21000
管件
管件
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1200 V
10A
1.8 V @ 2 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 1200 V
167pF @ 0V,1MHz
-
-
表面贴装型
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
DPAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
STMicroelectronics
200
现货
1 : $4.47000
剪切带(CT)
2,500 : $1.40538
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
10A
1.75 V @ 10 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
480pF @ 0V,1MHz
-
-
表面贴装型
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK
-40°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522
Infineon Technologies
3,459
现货
1 : $4.80000
剪切带(CT)
2,500 : $1.55248
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1200 V
8A
1.95 V @ 8 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
40 µA @ 1200 V
365pF @ 1V,1MHz
-
-
表面贴装型
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO252-2
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2
Wolfspeed, Inc.
21,035
现货
1 : $5.25000
管件
管件
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
600 V
19A
1.8 V @ 6 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
294pF @ 0V,1MHz
-
-
通孔
TO-220-2
TO-220-2
-55°C ~ 175°C
C3D02060F
DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2
Wolfspeed, Inc.
6,777
现货
1 : $5.25000
管件
管件
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
600 V
11.5A
1.8 V @ 6 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
294pF @ 0V,1MHz
-
-
通孔
TO-220-2 整包
TO-220-F2
-55°C ~ 175°C
DPAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
STMicroelectronics
2,971
现货
1 : $5.40000
剪切带(CT)
2,500 : $2.27165
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
10A
-
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
100 µA @ 650 V
480pF @ 0V,1MHz
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK
-40°C ~ 175°C
TO-247-2
DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472
SemiQ
2,420
现货
1 : $5.95000
管件
管件
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1700 V
21A
1.65 V @ 5 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
20 µA @ 1700 V
347pF @ 1V,1MHz
-
-
通孔
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
DO-214AA, SMB
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB
Navitas Semiconductor, Inc.
15,551
现货
1 : $6.08000
剪切带(CT)
3,000 : $2.13112
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1200 V
1A
1.8 V @ 1 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
5 µA @ 1200 V
61pF @ 1V,1MHz
-
-
表面贴装型
DO-214AA,SMB
DO-214AA(SMB)
-55°C ~ 175°C
GE12MPS06E
DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Navitas Semiconductor, Inc.
1,688
现货
1 : $6.14000
剪切带(CT)
2,500 : $3.37976
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1200 V
29A
1.8 V @ 10 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
5 µA @ 1200 V
367pF @ 1V,1MHz
-
-
表面贴装型
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
TO-220-2
DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Navitas Semiconductor, Inc.
2,486
现货
1 : $6.68000
管件
管件
最后售卖
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1200 V
25A
1.8 V @ 10 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
5 µA @ 1200 V
367pF @ 1V,1MHz
-
-
通孔
TO-220-2
TO-220-2
-55°C ~ 175°C
PG-VSON-4
DIODE SIL CARB 650V 12A PGVSON4
Infineon Technologies
331
现货
1 : $6.68000
剪切带(CT)
3,000 : $2.42670
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
12A
1.7 V @ 12 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
190 µA @ 650 V
360pF @ 1V,1MHz
-
-
表面贴装型
4-PowerTSFN
PG-VSON-4
-55°C ~ 150°C
TO-220-2
DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2
Wolfspeed, Inc.
6,316
现货
1 : $7.65000
管件
管件
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
600 V
30A
1.8 V @ 10 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
480pF @ 0V,1MHz
-
-
通孔
TO-220-2
TO-220-2
-55°C ~ 175°C
C3D06060G
DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2
Wolfspeed, Inc.
1,500
现货
1 : $7.65000
管件
管件
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
600 V
29A
1.8 V @ 10 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
50 µA @ 600 V
480pF @ 0V,1MHz
-
-
表面贴装型
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-2
-55°C ~ 175°C
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
DIODE SIL CARB 1200V 19A TO2522
Wolfspeed, Inc.
9,623
现货
1 : $8.24000
管件
管件
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1200 V
19A
1.8 V @ 5 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
150 µA @ 1200 V
390pF @ 0V,1MHz
-
-
表面贴装型
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-2
-55°C ~ 175°C
TO-252AA
DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA
onsemi
5,153
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : $9.00000
剪切带(CT)
2,500 : $3.61434
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1200 V
22.5A
1.75 V @ 8 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
200 µA @ 1200 V
538pF @ 1V,100kHz
-
-
表面贴装型
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
-55°C ~ 175°C
D2PAK
DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
STMicroelectronics
1,717
现货
1 : $9.07000
剪切带(CT)
1,000 : $4.31806
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
20A
1.45 V @ 20 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
150 µA @ 600 V
1250pF @ 0V,1MHz
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK
-40°C ~ 175°C
10-PowerSOP Module
DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Infineon Technologies
2,154
现货
1 : $9.11000
剪切带(CT)
1,700 : $3.67085
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
43A
-
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
53 µA @ 420 V
783pF @ 1V,1MHz
-
-
表面贴装型
10-PowerSOP 模块
PG-HDSOP-10-1
-55°C ~ 175°C
TO-247-2
DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Navitas Semiconductor, Inc.
629
现货
1 : $9.12000
管件
管件
最后售卖
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1700 V
15A
1.8 V @ 5 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
20 µA @ 1700 V
361pF @ 1V,1MHz
-
-
通孔
TO-247-2
TO-247-2
-55°C ~ 175°C
TO-252AA
DIODE SIL CARBIDE 1200V TO252AA
onsemi
5,000
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : $9.60000
剪切带(CT)
2,500 : $3.93546
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
1200 V
-
1.75 V @ 10 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
200 µA @ 1200 V
612pF @ 1V,100kHz
-
-
表面贴装型
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252AA
-
D²Pak,TO-263_418B−04
DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263
onsemi
1,779
现货
800
工厂
1 : $10.41000
剪切带(CT)
800 : $4.38518
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
73A
1.7 V @ 30 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
40 µA @ 650 V
1280pF @ 1V,100kHz
-
-
表面贴装型
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263(D2PAK)
-55°C ~ 175°C
10-PowerSOP Module
DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101
Infineon Technologies
0
现货
4,031
商城
1 : $10.55000
剪切带(CT)
1,700 : $4.46215
卷带(TR)
70 : $5.44829
散装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
不适用于新设计
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
51A
-
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
67 µA @ 420 V
970pF @ 1V,1MHz
-
-
表面贴装型
10-PowerSOP 模块
PG-HDSOP-10-1
-55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1
DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220
Infineon Technologies
195
现货
1 : $10.99000
管件
-
管件
不适用于新设计
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
41A
1.35 V @ 20 A
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
0 ns
67 µA @ 420 V
970pF @ 1V,1MHz
-
-
通孔
TO-220-2
PG-TO220-2
-55°C ~ 175°C
显示
/ 1,769

整流二极管的类型


    标准整流二极管
  • 标准二极管(硅 PN 结) 标准二极管是最基本的整流二极管,由带有 PN 结的硅制成。它们通常用于 AC-DC 转换器、电源整流和一般电路保护。这些二极管的正向压降通常在 0.7V 左右,最适合低频开关。它们的反向恢复时间(关闭时停止导通的速度)相对较慢,限制了它们在高速应用中的使用。它们还具有低反向漏电流,这使得它们能够可靠地进行稳态运行。

  • 肖特基势垒二极管 (SBD)
    肖特基二极管 (SBD) 使用金属半导体结取代传统的 PN 结,从而实现更快的开关速度和更低的正向压降 - 通常在 0.2V 到 0.4V 之间。这使得它们成为 DC-DC 转换器、高效电源以及最小化功率损耗至关重要的电路的理想选择。然而,SBD 有一个缺点,其反向漏电流较高,尤其在高温下,这对于精密或电池供电的设备来说可能是一个问题。

  • 超级势垒整流器 (SBR)
    超级势垒整流器 (SBR) 兼具标准二极管和肖特基二极管的最佳特性。它们具有像 SBD 一样的低正向压降,但具有明显更低的反向漏电流和改进的反向电压处理能力。SBR 非常适合开关电源转换器、适配器和汽车电子设备,在这些应用中,能源效率和热稳定性都很重要。当应用涉及更高的环境温度或更大的电压瞬变时,它们通常是优于肖特基二极管的选择。

  • 雪崩二极管
    雪崩二极管设计为在反向击穿模式下可靠运行,一旦超过特定的反向电压阈值,它们就会安全地传导电流。与可能因击穿而损坏的标准二极管不同,雪崩二极管可以反复且可预测地处理这种情况。
  • 在快速开关整流中,雪崩二极管有时比标准 PN 二极管更受欢迎,因为它们具有改进的反向恢复行为,可以减少开关损耗并提高整体转换器能效。它们能够承受高反向电压瞬变而不会产生性能降级,因此特别适合吸收电路、反激式转换器和硬开关拓扑。

  • 碳化硅 (SiC) 二极管
    SiC 二极管由碳化硅制成,这是一种宽带隙材料,可以承受非常高的电压(600V 及以上)和极端温度 (>150°C)。它们是工业转换器、电动汽车充电器、太阳能逆变器和电机驱动器的理想选择,尤其是在需要快速开关和零反向恢复时间的电路中。它们虽然比硅基二极管更昂贵,但在高电压和高频率下的耐用性和效率通常使其成为严苛应用中的最佳长期选择。