800mA（Ta） 单 FET，MOSFET

结果 : 28
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,107,498
现货
1 : $0.45000
剪切带（CT）
3,000 : $0.08047
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.5V，4.5V
235 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
BCV27
FDN86265P
MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
onsemi
9,679
现货
1 : $2.20000
剪切带（CT）
3,000 : $0.58394
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
800mA（Ta）
6V，10V
1.2 欧姆 @ 800mA，10V
4V @ 250µA
4.1 nC @ 10 V
±25V
210 pF @ 75 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
7,146
现货
1 : $0.46000
剪切带（CT）
8,000 : $0.08135
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.2V，4.5V
390毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1.6 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
100 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
7,519
现货
1 : $0.47000
剪切带（CT）
4,000 : $0.09429
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
1V @ 250µA
0.92 nC @ 4.5 V
±12V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523 扁平引线
SC-89，SOT-490
118,107
现货
1 : $0.52000
剪切带（CT）
8,000 : $0.09285
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.2V，4.5V
390毫欧 @ 800mA，4.5V
-
-
±8V
100 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
47,066
现货
1 : $0.52000
剪切带（CT）
8,000 : $0.09285
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.5V，4.5V
235 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
VESM
SOT-723
9,341
现货
1 : $0.75000
剪切带（CT）
3,000 : $0.16185
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.2V，4.5V
57 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
2 nC @ 4.5 V
±8V
177 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
7,500
现货
1 : $0.47000
剪切带（CT）
8,000 : $0.08329
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.2V，4.5V
390毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1.6 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
100 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
VESM
SOT-723
UFM
SSM3K62TU,LXHF
SMOS LOW RON NCH VDSS:20V ID:0.8
Toshiba Semiconductor and Storage
2,474
现货
1 : $0.72000
剪切带（CT）
3,000 : $0.15793
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.2V，4.5V
57 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
2 nC @ 4.5 V
±8V
177 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
SOT-223-3
ZVN4210GTA
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Diodes Incorporated
1,217
现货
1 : $2.10000
剪切带（CT）
1,000 : $0.61125
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
800mA（Ta）
5V，10V
1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
7,980
现货
1 : $0.53000
剪切带（CT）
3,000 : $0.11465
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
2.5V，4.5V
300 毫欧 @ 550mA，4.5V
1V @ 250µA
610 pC @ 10 V
±8V
44 pF @ 10 V
-
960mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SSF7320
SSF7320
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Good-Ark Semiconductor
24,323
现货
1 : $0.14000
剪切带（CT）
8,000 : $0.05079
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.5V，4.5V
300 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.2V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±12V
75 pF @ 10 V
-
450mW
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
NJVMJD32CG
NDDL01N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK
onsemi
0
现货
22,500
商城
1,137 : $0.33540
散装
-
卷带（TR）
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
800mA（Ta）
10V
15 欧姆 @ 400mA，10V
4.5V @ 50µA
4.9 nC @ 10 V
±30V
92 pF @ 25 V
-
26W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPAK/TP
NDDL01N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
onsemi
0
现货
9,900
商城
1,137 : $0.33540
管件
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
800mA（Ta）
10V
15 欧姆 @ 400mA，10V
4.5V @ 50µA
4.9 nC @ 10 V
±30V
92 pF @ 25 V
-
26W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
MCH3427-TL-E
MCH3421-TL-E
MOSFET N-CH 100V 800MA 3MCPH
onsemi
225,000
商城
1,069 : $0.36120
散装
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
800mA（Ta）
-
890 毫欧 @ 400mA，10V
-
4.8 nC @ 10 V
-
165 pF @ 20 V
-
900mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
8,247
现货
1 : $0.52000
剪切带（CT）
10,000 : $0.09284
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.5V，4.5V
235 毫欧 @ 800mA，4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TA）
-
-
表面贴装型
CST3
SC-101，SOT-883
NX138AKHH
PMH550UPEH
MOSFET P-CH 20V 800MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
328
现货
1 : $0.52000
剪切带（CT）
10,000 : $0.08980
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.8V，4.5V
640毫欧 @ 600mA，4，5V
950mV @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±8V
54.8 pF @ 10 V
-
360mW（Ta），2，23W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
NX138AKHH
PMH600UNEH
MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
0
现货
1 : $0.15000
剪切带（CT）
10,000 : $0.05407
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.2V，4.5V
620 毫欧 @ 600mA，4.5V
950mV @ 250µA
0.31 nC @ 4.5 V
±8V
21.3 pF @ 10 V
-
370mW（Ta），2.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
TL431BFDT-QR
PMV450ENEAR
MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
95
现货
1 : $0.47000
剪切带（CT）
3,000 : $0.09421
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
800mA（Ta）
4.5V，10V
380 毫欧 @ 900mA，10V
2.7V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
101 pF @ 30 V
-
323mW（Ta），554mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323-3A
XP234N08013R-G
MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3
Torex Semiconductor Ltd
70
现货
1 : $0.50000
剪切带（CT）
3,000 : $0.10587
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
800mA（Ta）
4.5V，10V
290毫欧 @ 400mA，10V
2.6V @ 250µA
1.32 nC @ 10 V
±20V
64 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323-3A
SC-70，SOT-323
0
现货
查看交期
3,000 : $0.03748
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
800mA（Ta）
2.5V，4.5V
510 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.3V @ 250µA
640 pC @ 4.5 V
±12V
34.6 pF @ 15 V
-
1W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23
XP234N0801TR-G
MOSFET N-CH 30V 800MA SOT23
Torex Semiconductor Ltd
0
现货
查看交期
3,000 : $0.07794
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
800mA（Ta）
4.5V，10V
290毫欧 @ 400mA，10V
2.6V @ 250µA
1.32 nC @ 10 V
±20V
64 pF @ 10 V
-
400mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
ZVN4210GTC
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Diodes Incorporated
0
现货
4,000 : $0.35614
卷带（TR）
-
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
800mA（Ta）
5V，10V
1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
4-DIP
IRFD220PBF
MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Vishay Siliconix
0
现货
2,500 : $0.80422
散装
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
800mA（Ta）
10V
800 毫欧 @ 480mA，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
4-HVMDIP
4-DIP（0.300"，7.62mm）
PG-SOT223-4
SPN04N60S5
MOSFET N-CH 600V 800MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : $0.83531
卷带（TR）
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
800mA（Ta）
10V
950 毫欧 @ 2.8A，10V
5.5V @ 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 28

单 FET、MOSFET

单场效应晶体管 (FET) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是用于放大或开关电子信号的晶体管类型。

单 FET 的工作原理是，通过施加于栅极端子的电压产生的电场，来控制源极和漏极端子之间的电流流动。FET 的主要优点是输入阻抗高，因而非常适合用于信号放大和模拟电路。它们广泛应用于电子电路中的放大器、振荡器和缓冲器级等应用。

MOSFET 是 FET 的一个子类型，其栅极端子通过一个薄氧化层与沟道绝缘，从而增强其性能并提高效率。MOSFET 可进一步分为两类：

MOSFET 因其功耗低、开关速度快并且能够处理大电流和电压，在许多应用中备受青睐。它们在电源、电机驱动器和射频应用等数字和模拟电路中起到至关重要的作用。

MOSFET 的运行可分为两种模式：

  • 增强模式：在此模式下，当栅源电压为零时，MOSFET 处于常闭状态。它需要正栅源电压（对于 n 沟道）或负栅源电压（对于 p 沟道）才能导通。
  • 耗尽模式：在此模式下，当栅源电压为零时，MOSFET 处于常开状态。施加相反极性的栅源电压可将其关断。

MOSFET 具有多种优势，例如：

  1. 效率高：它们的功耗很小，并且可以快速切换状态，因此对于电源管理应用来说非常高效。
  2. 导通电阻低：导通时的电阻较低，可最大限度地减少功率损耗和热量产生。
  3. 输入阻抗高：绝缘栅结构导致输入阻抗极高，因而成为高阻抗信号放大的理想选择。

总之，单 FET，特别是 MOSFET，是现代电子产品的基本组件，以其效率、速度和多功能性而著称，广泛应用于从低功率信号放大到高功率开关和控制等各种应用。