单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳
STB20N90K5 MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK STMicroelectronics	1,293 现货	1 : $9.94000 剪切带（CT） 1,000 : $4.12767 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	20A（Tc）	10V	250 毫欧 @ 10A，10V	5V @ 100µA	40 nC @ 10 V	±30V	1500 pF @ 100 V	-	250W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
STB43N65M5 MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK STMicroelectronics	4,260 现货	1 : $12.95000 剪切带（CT） 1,000 : $5.85210 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	42A（Tc）	10V	63 毫欧 @ 21A，10V	5V @ 250µA	100 nC @ 10 V	±25V	4400 pF @ 100 V	-	250W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
STD16N50M2 MOSFET N-CH 500V 13A TO252 STMicroelectronics	2,365 现货	1 : $3.03000 剪切带（CT） 2,500 : $0.87464 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	13A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	19.5 nC @ 10 V	±25V	710 pF @ 100 V	-	110W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STD5NM50AG MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK STMicroelectronics	2,634 现货	1 : $3.44000 剪切带（CT） 2,500 : $1.01576 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	7.5A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	13 nC @ 10 V	±30V	415 pF @ 100 V	-	100W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STD5NM60T4 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK STMicroelectronics	6,992 现货	1 : $4.13000 剪切带（CT） 2,500 : $1.26273 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	5A（Tc）	10V	1 欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	18 nC @ 10 V	±30V	400 pF @ 25 V	-	96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STP11NM60 MOSFET N-CH 650V 11A TO220AB STMicroelectronics	104 现货	1 : $7.06000 管件	MDmesh™	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	11A（Tc）	10V	450 毫欧 @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±25V	1000 pF @ 25 V	-	160W（Tc）	-65°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
STP12NM50 MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB STMicroelectronics	1,056 现货	1 : $7.32000 管件	MDmesh™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	12A（Tc）	10V	350 毫欧 @ 6A，10V	5V @ 50µA	39 nC @ 10 V	±30V	1000 pF @ 25 V	-	160W（Tc）	-65°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
STP12NM50FP MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP STMicroelectronics	667 现货	1 : $7.50000 管件	MDmesh™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	12A（Tc）	10V	350 毫欧 @ 6A，10V	5V @ 50µA	39 nC @ 10 V	±30V	1000 pF @ 25 V	-	35W（Tc）	-65°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220FP	TO-220-3 整包
STB18NM80 MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK STMicroelectronics	8,739 现货	1 : $7.53000 剪切带（CT） 1,000 : $2.84641 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	17A（Tc）	10V	295 毫欧 @ 8.5A，10V	5V @ 250µA	70 nC @ 10 V	±25V	2070 pF @ 50 V	-	190W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
STW11NM80 MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3 STMicroelectronics	523 现货	1 : $8.68000 管件	MDmesh™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	11A（Tc）	10V	400 毫欧 @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	43.6 nC @ 10 V	±30V	1630 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-65°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
STP20NM60 MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB STMicroelectronics	739 现货	1 : $9.24000 管件	MDmesh™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	20A（Tc）	10V	290 毫欧 @ 10A，10V	5V @ 250µA	54 nC @ 10 V	±30V	1500 pF @ 25 V	-	192W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
STW20NM60 MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 STMicroelectronics	329 现货	1 : $9.42000 管件	MDmesh™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	20A（Tc）	10V	290 毫欧 @ 10A，10V	5V @ 250µA	54 nC @ 10 V	±30V	1500 pF @ 25 V	-	192W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
STP20NM60FP MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP STMicroelectronics	465 现货	1 : $10.96000 管件	MDmesh™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	20A（Tc）	10V	290 毫欧 @ 10A，10V	5V @ 250µA	54 nC @ 10 V	±30V	1500 pF @ 25 V	-	45W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220FP	TO-220-3 整包
STB11NM80T4 MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK STMicroelectronics	792 现货	1 : $11.15000 剪切带（CT） 1,000 : $4.80334 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	11A（Tc）	10V	400 毫欧 @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	43.6 nC @ 10 V	±30V	1630 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-65°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
STW26NM50 MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3 STMicroelectronics	471 现货	1 : $16.91000 管件	MDmesh™	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	30A（Tc）	10V	120 毫欧 @ 13A，10V	5V @ 250µA	106 nC @ 10 V	±30V	3000 pF @ 25 V	-	313W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
STW45NM50 MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3 STMicroelectronics	674 现货	1 : $18.93000 管件	MDmesh™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	45A（Tc）	10V	100 毫欧 @ 22.5A，10V	5V @ 250µA	117 nC @ 10 V	±30V	3700 pF @ 25 V	-	417W（Tc）	-65°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
STW45NM60 MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3 STMicroelectronics	386 现货	1 : $18.93000 管件	MDmesh™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	45A（Tc）	10V	110 毫欧 @ 22.5A，10V	5V @ 250µA	134 nC @ 10 V	±30V	3800 pF @ 25 V	-	417W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-3	TO-247-3
STY60NM50 MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 STMicroelectronics	375 现货	1 : $34.45000 管件	MDmesh™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	60A（Tc）	10V	50 毫欧 @ 30A，10V	5V @ 250µA	266 nC @ 10 V	±30V	7500 pF @ 25 V	-	560W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	MAX247™	TO-247-3
STD6N65M2 MOSFET N-CH 650V 4A DPAK STMicroelectronics	1,020 现货	1 : $2.04000 剪切带（CT） 2,500 : $0.54951 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	4A（Tc）	10V	1.35 欧姆 @ 2A，10V	4V @ 250µA	9.8 nC @ 10 V	±25V	226 pF @ 100 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STL7N60M2 MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT STMicroelectronics	2,072 现货	1 : $2.26000 剪切带（CT） 3,000 : $0.60634 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	5A（Tc）	10V	1.05 欧姆 @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.8 nC @ 10 V	±25V	271 pF @ 100 V	-	4W（Ta），67W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerFLAT™（5x5）	8-PowerVDFN
STD3LN80K5 MOSFET N-CH 800V 2A DPAK STMicroelectronics	3,749 现货	1 : $2.50000 剪切带（CT） 2,500 : $0.69221 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	2A（Tc）	10V	3.25 欧姆 @ 1A，10V	5V @ 100µA	2.63 nC @ 10 V	±30V	102 pF @ 100 V	-	45W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STD5N80K5 MOSFET N-CH 800V 4A DPAK STMicroelectronics	3,986 现货	1 : $3.14000 剪切带（CT） 2,500 : $0.91136 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	4A（Tc）	10V	1.75 欧姆 @ 2A，10V	5V @ 100µA	5 nC @ 10 V	±30V	177 pF @ 100 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STP5N80K5 MOSFET N-CH 800V 4A TO220 STMicroelectronics	1,245 现货	1 : $3.15000 管件	MDmesh™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	4A（Tc）	10V	1.75 欧姆 @ 2A，10V	5V @ 100µA	5 nC @ 10 V	±30V	177 pF @ 100 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
STD4N90K5 MOSFET N-CH 900V 3A DPAK STMicroelectronics	3,894 现货	1 : $3.31000 剪切带（CT） 2,500 : $0.96750 卷带（TR）	MDmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	900 V	3A（Tc）	10V	2.1 欧姆 @ 1A，10V	5V @ 100µA	5.3 nC @ 10 V	±30V	173 pF @ 100 V	-	60W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STF7LN80K5 MOSFET N-CH 800V 5A TO220FP STMicroelectronics	994 现货	1 : $3.62000 管件	MDmesh™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	5A（Tc）	10V	1.15 欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 100µA	12 nC @ 10 V	±30V	270 pF @ 100 V	-	25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220FP	TO-220-3 整包

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单 FET、MOSFET

单场效应晶体管 (FET) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是用于放大或开关电子信号的晶体管类型。

单 FET 的工作原理是，通过施加于栅极端子的电压产生的电场，来控制源极和漏极端子之间的电流流动。FET 的主要优点是输入阻抗高，因而非常适合用于信号放大和模拟电路。它们广泛应用于电子电路中的放大器、振荡器和缓冲器级等应用。

MOSFET 是 FET 的一个子类型，其栅极端子通过一个薄氧化层与沟道绝缘，从而增强其性能并提高效率。MOSFET 可进一步分为两类：

n 沟道 MOSFET：其中的主要载流子是电子。
p 沟道 MOSFET：其中的主要载流子是空穴。

MOSFET 因其功耗低、开关速度快并且能够处理大电流和电压，在许多应用中备受青睐。它们在电源、电机驱动器和射频应用等数字和模拟电路中起到至关重要的作用。

MOSFET 的运行可分为两种模式：

增强模式：在此模式下，当栅源电压为零时，MOSFET 处于常闭状态。它需要正栅源电压（对于 n 沟道）或负栅源电压（对于 p 沟道）才能导通。
耗尽模式：在此模式下，当栅源电压为零时，MOSFET 处于常开状态。施加相反极性的栅源电压可将其关断。

MOSFET 具有多种优势，例如：

效率高：它们的功耗很小，并且可以快速切换状态，因此对于电源管理应用来说非常高效。
导通电阻低：导通时的电阻较低，可最大限度地减少功率损耗和热量产生。
输入阻抗高：绝缘栅结构导致输入阻抗极高，因而成为高阻抗信号放大的理想选择。

总之，单 FET，特别是 MOSFET，是现代电子产品的基本组件，以其效率、速度和多功能性而著称，广泛应用于从低功率信号放大到高功率开关和控制等各种应用。

单 FET、MOSFET

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