19A(Ta),40A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.6 毫欧 @ 20A,10V3 毫欧 @ 20A,10V3.1 毫欧 @ 20A,10V3.4 毫欧 @ 20A,10V5.1 毫欧 @ 20A,10V6.83 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18.3 nC @ 10 V19 nC @ 10 V25 nC @ 10 V26 nC @ 10 V35 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V+20V,-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
680 pF @ 15 V1230 pF @ 12 V1700 pF @ 15 V1800 pF @ 20 V2200 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),30W(Tc)2.1W(Ta),48W(Tc)2.1W(Ta),52W(Tc)3.1W(Ta),36.7W(Tc)3.8W(Ta),17W(Tc)-
供应商器件封装
8-DFN-EP(3x3)PG-TDSON-8 FLPG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSDSON-8
BSZ034N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Infineon Technologies
24,010
现货
1 : $1.63000
剪切带(CT)
5,000 : $0.64533
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIRA18BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Vishay Siliconix
15,074
现货
1 : $0.69000
剪切带(CT)
3,000 : $0.23176
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
6.83 毫欧 @ 10A,10V
2.4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
+20V,-16V
680 pF @ 15 V
-
3.8W(Ta),17W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TSDSON-8
BSZ0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Infineon Technologies
52,538
现货
1 : $1.09000
剪切带(CT)
5,000 : $0.58101
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
2.6 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ031NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
Infineon Technologies
8,100
现货
1 : $1.85000
剪切带(CT)
5,000 : $0.72937
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
19A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
18.3 nC @ 10 V
±16V
1230 pF @ 12 V
-
2.1W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8 FL
BSZ0909LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
Infineon Technologies
4,784
现货
1 : $1.20000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SIRA88BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Vishay Siliconix
5,690
现货
1 : $0.76000
剪切带(CT)
3,000 : $0.21414
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
19A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
6.83 毫欧 @ 10A,10V
2.4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
+20V,-16V
680 pF @ 15 V
-
3.8W(Ta),17W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-DFN
AON7240
MOSFET N-CH 40V 19A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
1 : $1.75000
剪切带(CT)
5,000 : $0.68917
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
5.1 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 20 V
-
3.1W(Ta),36.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP(3x3)
8-PowerVDFN
显示
/ 7

19A(Ta),40A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。