SiC（Silicon Carbide）Schottky 单二极管

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	技术	电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	电流 - 平均整流 (Io)	不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	速度	反向恢复时间 (trr)	不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	不同 Vr、F 时电容	等级	资质	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装	工作温度 - 结
GB01SLT06-214 DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA Navitas Semiconductor, Inc.	22,866 现货	1 : $2.26000 剪切带（CT） 3,000 : $1.35788 卷带（TR）	SiC Schottky MPS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	650 V	1A	2 V @ 1 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	10 µA @ 6.5 V	76pF @ 1V，1MHz	-	-	表面贴装型	DO-214AA，SMB	DO-214AA	-55°C ~ 175°C
IDM02G120C5XTMA1 DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522 Infineon Technologies	25,305 现货	1 : $3.20000 剪切带（CT） 2,500 : $0.92950 卷带（TR）	CoolSiC™+	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1200 V	2A	1.65 V @ 2 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	18 µA @ 1200 V	182pF @ 1V，1MHz	-	-	表面贴装型	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63	PG-TO252-2	-55°C ~ 175°C
C3D04060E-TR DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252 Wolfspeed, Inc.	149 现货	1 : $3.59000 剪切带（CT） 2,500 : $1.07060 卷带（TR）	Z-Rec®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	600 V	13.5A	1.8 V @ 4 A	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	-	50 µA @ 600 V	251pF @ 0V，1MHz	-	-	表面贴装型	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
C4D02120E DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522 Wolfspeed, Inc.	10,769 现货	1 : $3.90000 管件	Z-Rec®	管件	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 2 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	50 µA @ 1200 V	167pF @ 0V，1MHz	-	-	表面贴装型	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
C4D02120E-TR DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522 Wolfspeed, Inc.	5,295 现货	1 : $3.90000 剪切带（CT） 2,500 : $1.17660 卷带（TR）	Z-Rec®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 2 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	50 µA @ 1200 V	167pF @ 0V，1MHz	-	-	表面贴装型	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
STPSC2H12B2Y-TR DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK STMicroelectronics	11,172 现货	1 : $4.18000 剪切带（CT） 2,500 : $1.45294 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1200 V	5A	1.5 V @ 2 A	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	-	12 µA @ 1200 V	190pF @ 0V，1MHz	-	-	表面贴装型	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63	DPAK	-40°C ~ 175°C
STPSC10H065B-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK STMicroelectronics	2,570 现货	1 : $4.47000 剪切带（CT） 2,500 : $1.40538 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	650 V	10A	1.75 V @ 10 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	100 µA @ 650 V	480pF @ 0V，1MHz	-	-	表面贴装型	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63	DPAK	-40°C ~ 175°C
C3D06060A DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2 Wolfspeed, Inc.	22,135 现货	1 : $4.87000 管件	Z-Rec®	管件	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	600 V	19A	1.8 V @ 6 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	50 µA @ 600 V	294pF @ 0V，1MHz	-	-	通孔	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
C3D06060F DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2 Wolfspeed, Inc.	6,882 现货	1 : $4.87000 管件	Z-Rec®	管件	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	600 V	11.5A	1.8 V @ 6 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	50 µA @ 600 V	294pF @ 0V，1MHz	-	-	通孔	TO-220-2 整包	TO-220-F2	-55°C ~ 175°C
IDM08G120C5XTMA1 DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522 Infineon Technologies	2,773 现货	1 : $4.99000 剪切带（CT） 2,500 : $1.63254 卷带（TR）	CoolSiC™+	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1200 V	8A	1.95 V @ 8 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	40 µA @ 1200 V	365pF @ 1V，1MHz	-	-	表面贴装型	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63	PG-TO252-2	-55°C ~ 175°C
GP3D005A170B DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472 SemiQ	2,500 现货	1 : $5.95000 管件	Amp+™	管件	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1700 V	21A	1.65 V @ 5 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	20 µA @ 1700 V	347pF @ 1V，1MHz	-	-	通孔	TO-247-2	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
GB01SLT12-214 DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB Navitas Semiconductor, Inc.	23,403 现货	1 : $6.08000 剪切带（CT） 3,000 : $2.13112 卷带（TR）	SiC Schottky MPS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1200 V	1A	1.8 V @ 1 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	5 µA @ 1200 V	61pF @ 1V，1MHz	-	-	表面贴装型	DO-214AA，SMB	DO-214AA（SMB）	-55°C ~ 175°C
GD10MPS12E DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522 Navitas Semiconductor, Inc.	1,800 现货	1 : $6.14000 剪切带（CT） 2,500 : $3.37976 卷带（TR）	SiC Schottky MPS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	最后售卖	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1200 V	29A	1.8 V @ 10 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	5 µA @ 1200 V	367pF @ 1V，1MHz	-	-	表面贴装型	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
IDH10G120C5XKSA1 DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201 Infineon Technologies	2,720 现货	1 : $6.83000 管件	CoolSiC™+	管件	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 10 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	62 µA @ 1200 V	525pF @ 1V，1MHz	-	-	通孔	TO-220-2	PG-TO220-2-1	-55°C ~ 175°C
C3D10060A DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2 Wolfspeed, Inc.	6,327 现货	1 : $7.09000 管件	Z-Rec®	管件	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	600 V	30A	1.8 V @ 10 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	50 µA @ 600 V	480pF @ 0V，1MHz	-	-	通孔	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
C3D10060G DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2 Wolfspeed, Inc.	3,200 现货	1 : $7.09000 管件	Z-Rec®	管件	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	600 V	29A	1.8 V @ 10 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	50 µA @ 600 V	480pF @ 0V，1MHz	-	-	表面贴装型	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB	TO-263-2	-55°C ~ 175°C
IDH12G65C6XKSA1 DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220 Infineon Technologies	2,391 现货	1 : $7.16000 管件	-	管件	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	650 V	27A	1.35 V @ 12 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	40 µA @ 420 V	594pF @ 1V，1MHz	-	-	通孔	TO-220-2	PG-TO220-2	-55°C ~ 175°C
C4D05120E DIODE SIL CARB 1200V 19A TO2522 Wolfspeed, Inc.	6,033 现货	1 : $7.63000 管件	Z-Rec®	管件	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1200 V	19A	1.8 V @ 5 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	150 µA @ 1200 V	390pF @ 0V，1MHz	-	-	表面贴装型	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
IDDD16G65C6XTMA1 DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Infineon Technologies	2,189 现货	1 : $8.92000 剪切带（CT） 1,700 : $3.56832 卷带（TR）	CoolSiC™+	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	650 V	43A	-	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	53 µA @ 420 V	783pF @ 1V，1MHz	-	-	表面贴装型	10-PowerSOP 模块	PG-HDSOP-10-1	-55°C ~ 175°C
FFSD08120A DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA onsemi	153 现货	1 : $9.00000 剪切带（CT） 2,500 : $3.61434 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1200 V	22.5A	1.75 V @ 8 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	200 µA @ 1200 V	538pF @ 1V，100kHz	-	-	表面贴装型	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63	TO-252AA	-55°C ~ 175°C
STPSC20065GY-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK STMicroelectronics	777 现货	1 : $9.01000 剪切带（CT） 1,000 : $4.26377 卷带（TR）	ECOPACK®2	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	650 V	20A	1.45 V @ 20 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	150 µA @ 600 V	1250pF @ 0V，1MHz	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB	D2PAK	-40°C ~ 175°C
GD05MPS17H DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472 Navitas Semiconductor, Inc.	282 现货	1 : $9.12000 管件	SiC Schottky MPS™	管件	最后售卖	SiC（Silicon Carbide）Schottky	1700 V	15A	1.8 V @ 5 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	20 µA @ 1700 V	361pF @ 1V，1MHz	-	-	通孔	TO-247-2	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
IDDD20G65C6XTMA1 DIODE SIC 650V 51A PGHDSOP101 Infineon Technologies	0 现货 4,031 商城查看交期	1 : $10.41000 剪切带（CT） 1,700 : $4.38638 卷带（TR） 71 : $5.33394 散装	CoolSiC™+	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带散装	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	650 V	51A	-	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	67 µA @ 420 V	970pF @ 1V，1MHz	-	-	表面贴装型	10-PowerSOP 模块	PG-HDSOP-10-1	-55°C ~ 175°C
IDH20G65C6XKSA1 DIODE SIL CARB 650V 41A PGTO220 Infineon Technologies	3,033 现货	1 : $10.41000 管件	-	管件	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	650 V	41A	1.35 V @ 20 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	67 µA @ 420 V	970pF @ 1V，1MHz	-	-	通孔	TO-220-2	PG-TO220-2	-55°C ~ 175°C
FFSB3065B DIODE SIL CARBIDE 650V 73A TO263 onsemi	233 现货	1 : $10.41000 剪切带（CT） 800 : $4.38518 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	SiC（Silicon Carbide）Schottky	650 V	73A	1.7 V @ 30 A	无恢复时间 > 500mA（Io）	0 ns	40 µA @ 650 V	1280pF @ 1V，100kHz	-	-	表面贴装型	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB	TO-263（D2PAK）	-55°C ~ 175°C

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整流二极管的类型

标准整流二极管

标准二极管（硅 PN 结）标准二极管是最基本的整流二极管，由带有 PN 结的硅制成。它们通常用于 AC-DC 转换器、电源整流和一般电路保护。这些二极管的正向压降通常在 0.7V 左右，最适合低频开关。它们的反向恢复时间（关闭时停止导通的速度）相对较慢，限制了它们在高速应用中的使用。它们还具有低反向漏电流，这使得它们能够可靠地进行稳态运行。

肖特基势垒二极管 (SBD)
肖特基二极管 (SBD) 使用金属半导体结取代传统的 PN 结，从而实现更快的开关速度和更低的正向压降 - 通常在 0.2V 到 0.4V 之间。这使得它们成为 DC-DC 转换器、高效电源以及最小化功率损耗至关重要的电路的理想选择。然而，SBD 有一个缺点，其反向漏电流较高，尤其在高温下，这对于精密或电池供电的设备来说可能是一个问题。

超级势垒整流器 (SBR)
超级势垒整流器 (SBR) 兼具标准二极管和肖特基二极管的最佳特性。它们具有像 SBD 一样的低正向压降，但具有明显更低的反向漏电流和改进的反向电压处理能力。SBR 非常适合开关电源转换器、适配器和汽车电子设备，在这些应用中，能源效率和热稳定性都很重要。当应用涉及更高的环境温度或更大的电压瞬变时，它们通常是优于肖特基二极管的选择。

雪崩二极管
雪崩二极管设计为在反向击穿模式下可靠运行，一旦超过特定的反向电压阈值，它们就会安全地传导电流。与可能因击穿而损坏的标准二极管不同，雪崩二极管可以反复且可预测地处理这种情况。

碳化硅 (SiC) 二极管
SiC 二极管由碳化硅制成，这是一种宽带隙材料，可以承受非常高的电压（600V 及以上）和极端温度 (>150°C)。它们是工业转换器、电动汽车充电器、太阳能逆变器和电机驱动器的理想选择，尤其是在需要快速开关和零反向恢复时间的电路中。它们虽然比硅基二极管更昂贵，但在高电压和高频率下的耐用性和效率通常使其成为严苛应用中的最佳长期选择。

整流二极管的类型

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