
SI7956DP-T1-E3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI7956DP-T1-E3TR-ND - 卷带(TR) SI7956DP-T1-E3CT-ND - 剪切带(CT) SI7956DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SI7956DP-T1-E3 |
描述 | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8 |
原厂标准交货期 | 20 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 150V 2.6A 1.4W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SI7956DP-T1-E3 型号 |
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | 2 N-通道(双) | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 105 毫欧 @ 4.1A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - | |
功率 - 最大值 | 1.4W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双 | |
基本产品编号 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | $5.78000 | $5.78 |
| 10 | $3.80600 | $38.06 |
| 100 | $2.68160 | $268.16 |
| 500 | $2.43002 | $1,215.01 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3,000 | $1.98531 | $5,955.93 |
| 不含 VAT 单价: | $5.78000 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $6.30020 |



