ISA220280C03LMDSXTMA1
图像仅供参考,请参阅产品规格书。
ISA220280C03LMDSXTMA1
Infineon OptiMOSTM Dual N+N channel and N+P channel power MOSFETs in 30 V and 40 V in SO-8 package

ISA220280C03LMDSXTMA1

DigiKey 零件编号
448-ISA220280C03LMDSXTMA1TR-ND - 卷带(TR)
448-ISA220280C03LMDSXTMA1CT-ND - 剪切带(CT)
448-ISA220280C03LMDSXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
制造商产品编号
ISA220280C03LMDSXTMA1
描述
ISA220280C03LMDSXTMA1
原厂标准交货期
26 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 30V 6.3A(Ta),8.4A(Tc),6.1A(Ta),8.1A(Tc) 1.4W(Ta),2.5W(Tc) 表面贴装型 PG-DSO-8-920
cms-datasheet
 cms-datasheet
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.3A(Ta),8.4A(Tc),6.1A(Ta),8.1A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
22 毫欧 @ 8.4A,10V,28 毫欧 @ 8.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1400pF @ 15V
功率 - 最大值
1.4W(Ta),2.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
PG-DSO-8-920
产品问答

了解工程师们提出的问题,提出您自己的问题,或者帮助 DigiKey 工程社区的成员

现货: 444
检查是否有其他入库库存
所有价格均以 SGD 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 cms-unit-price总价
1$1.25000$1.25
10$0.78300$7.83
100$0.50820$50.82
500$0.39004$195.02
1,000$0.35195$351.95
2,000$0.31988$639.76
* 所有 Digi-Reel® 订单会收取¥49.00 卷盘费。
卷带(TR)
数量 cms-unit-price总价
4,000$0.28411$1,136.44
8,000$0.26209$2,096.72
12,000$0.25088$3,010.56
20,000$0.24207$4,841.40
制造商标准包装
不含 VAT 单价:$1.25000
含 VAT 单价:$1.36250