IPA60R190E6XKSA1 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:

直接


Infineon Technologies
现货: 506
单价: $4,241.00000
规格书

参数等效


Infineon Technologies
现货: 9,203
单价: $5,149.00000
规格书

类似


onsemi
现货: 1,659
单价: $8,007.00000
规格书

类似


Rochester Electronics, LLC
现货: 30,060
单价: $2,661.65839
规格书

类似


Panjit International Inc.
现货: 1,808
单价: $5,923.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 908
单价: $3,855.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 309
单价: $8,349.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,925
单价: $11,906.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 900
单价: $4,956.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 984
单价: $6,548.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 844
单价: $5,105.00000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 96
单价: $5,745.00000
规格书
PG-TO220-FP
图像仅供参考,请参阅产品规格书。

IPA60R190E6XKSA1

DigiKey 零件编号
IPA60R190E6XKSA1-ND
制造商
制造商产品编号
IPA60R190E6XKSA1
描述
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 600 V 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
IPA60R190E6XKSA1 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
190 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 630µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
63 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1400 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
34W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
等级
-
资质
-
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-FP
封装/外壳
基本产品编号
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管件
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500$1.79046$895.23
制造商标准包装
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不含 VAT 单价:$1.79046
含 VAT 单价:$1.95160