
IMT65R050M2HXUMA1 | |
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DigiKey 零件编号 | 448-IMT65R050M2HXUMA1TR-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IMT65R050M2HXUMA1 |
描述 | SILICON CARBIDE MOSFET |
原厂标准交货期 | 23 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 650 V 48.1A(Tc) 237W(Tc) PG-HSOF-8-2 |
规格书 | 规格书 |
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 15V,20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 46 毫欧 @ 18.2A,20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5.6V @ 3.7mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 22 nC @ 18 V | |
Vgs(最大值) | +23V,-7V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 790 pF @ 400 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 237W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
等级 | - | |
资质 | - | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-HSOF-8-2 | |
封装/外壳 |
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2,000 | $3.97532 | $7,950.64 |
| 不含 VAT 单价: | $3.97532 |
|---|---|
| 含 VAT 单价: | $4.33310 |






