SGD | USD

SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E 和 SiHH11N60E MOSFET

Vishay 的 600 V、E 系列 MOSFET 采用 PowerPAK® 8 mm x 8 mm 封装,并通过 Kelvin 连接降低栅极驱动电感

Vishay/Siliconix 的 SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E、SiHH11N60E MOSFETVishay 的 600 V、E 系列 MOSFET 采用 PowerPAK 8 mm x 8 mm 封装结构,允许把其中一个源引脚指定为能将栅极驱动返回路径与主载流源端子隔离的专用 Kelvin 源连接。 这样会防止高电流路径中的 L x di/dt 电压降降低施加到 E 系列 MOSFET 上的栅极驱动电压。 这样,就能在电信、服务器、计算、照明和工业应用的电源设计中实现更块的开关速度、更强的抗噪能力。

查看主要技术规格表

特性
  • 采用节省空间的表面贴装式 PowerPAK 8 mm x 8 mm 封装
  • 该系列均采用可实现低热阻的大型漏源端子、能通过改进栅极驱动信号提升能效的 Kelvin 源连接
  • 符合 RoHS 规范,无卤素、100% 无铅 (Pb)
  • 节省空间,是传统的 TO-220 和 TO-263 解决方案的替代品,但具有与 TO-263 (D2PAK) 类似的热性能
  • 低导通电阻和低栅极电荷降低了导通和开关损耗,因此节能
  • 能够承受在雪崩和换向模式下的高能量脉冲,具有通过 100% UIS 测试的保证限值
应用    
  • 功率因数校正
  • 反激式转换器
  • 服务器和电信电源的双开关正向转换器
  • HID 和日光灯镇流器照明
  • 消费类和计算类电源适配器
  • 电机驱动器
  • 太阳能 PV 逆变器
  • 感应加热
  • 焊接设备

SiHH26N60E, SiHH21N60E, SiHH14N60E, SiHH11N60E MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量
MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8SIHH26N60E-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8119 - 立即发货查看详情
MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8SIHH21N60E-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X83000 - 立即发货查看详情
MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8SIHH14N60E-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X83000 - 立即发货查看详情
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8SIHH11N60E-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X80查看详情
发布日期: 2015-09-29