EPC2069 40 V, 2.25 mΩ GaN FET

EPC 的 EPC2069 是 40 V、2.25 mΩ、422 A 脉冲电流 GaN FET，相比硅 MOSFET 更小更高效，适用于高性能空间受限的应用。该 GaN FET 非常适合对高功率密度性能有严格要求的应用，例如 48 V 至 54 V 输入服务器。较低的栅极电荷和零反向恢复损耗可实现 1 MHz 及更高频率的高频操作，并以 10.6 mm² 的极小基底面实现高效率，实现最先进的功率密度。EPC2069 可支持 48 V 至 12 V_DC/DC 解决方案，功率范围从 500 W 到 2 kW，效率超过 98%。需要在初级侧和次级侧都使用 eGaN 器件才能实现 >4,000 W/in³ 的最大功率密度。