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可实现业内最佳 48 V DC/DC 的 100 V eGaN FET 家族器件

更高效 • 更小巧 • 成本更低

 

48 V = GaN:在所有具有 48 VIN 的拓扑结构中,只有采用 GaN 器件才能达到最高能效。

零件编号 配置 VDS 最大 RDS(ON) (mΩ) (VGS=5V) QG典型值 (nC) QGS典型值 (nC) QGD典型值 (nC) QOSS典型值 (nC) 最大 峰值脉冲 ID(A)(s5°C,Tpulse = 300µs) 封装 (mm) 半桥开发板 48 V 参考设计 How2AppNote
EPC2053 100 3.8 12 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093 EPC9138 48 V - 6 V、900 W LLC
48 V - 12 V、900 W LLC
EPC2045 100 7 5.9 1.9 0.8 25 130 BGA 2.5 x 1.5 EPC9078 EPC9141 48 V - 12 V、60 A 多相
EPC9205 EPC9130 48 V 至 5 - 12 V DC/DC
EPC2052 100 13.5 3.6 1.5 0.5 13 74 BGA 1.5 x 1.5 EPC9092    
EPC2051 100 25 1.7 0.6 0.3 7.3 37 BGA 0.85 x 1.3 EPC9091    
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