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SIHG80N60E-GE3 通孔 N 通道 600V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC
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价格分段 单价 总价
1 18.61000 $18.61
10 17.10600 $171.06
25 16.39720 $409.93
100 14.44730 $1,444.73
500 13.29506 $6,647.53

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SIHG80N60E-GE3

规格书
Digi-Key 零件编号 SIHG80N60E-GE3-ND
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制造商

Vishay Siliconix

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制造商零件编号 SIHG80N60E-GE3
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描述 MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
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详细描述

通孔 N 通道 600V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-247AC

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客户内部零件编号
文档与媒体
数据列表 SIHG80N60E
PCN 组件/产地 Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020
PCN 封装 Packing Tube Design 19/Sep/2019
HTML 规格书 SIHG80N60E
产品属性
类型 描述 选取全部项目
类别
制造商 Vishay Siliconix
系列 E
包装 管件 
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 30 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 443nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6900pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 520W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AC
封装/外壳 TO-247-3
基本零件编号 SIHG80
 
环境与出口分类
对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
其它资源
标准包装 500