SI9945BDY-T1-GE3 MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 5.3A 3.1W 表面贴装型 8-SOIC
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SI9945BDY-T1-GE3

规格书
Digi-Key 零件编号 SI9945BDY-T1-GE3CT-ND
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制造商

Vishay Siliconix

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制造商零件编号 SI9945BDY-T1-GE3
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描述 MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
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详细描述

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 5.3A 3.1W 表面贴装型 8-SOIC

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客户内部零件编号
文档与媒体
数据列表 SI9945BDY
产品属性
类型 描述 选取全部项目
类别
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 剪切带(CT) 
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 58 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 665pF @ 15V
功率 - 最大值 3.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
基本零件编号 SI9945
 
环境与出口分类
对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
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其它资源
标准包装 1
其它名称 SI9945BDY-T1-GE3CT