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SI7850DP-T1-GE3 表面贴装型 N 通道 60V 6.2A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8
采购与价格
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数量
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价格分段 单价 扩充价格
1 2.40000 $2.40
10 2.15600 $21.56
25 2.03400 $50.85
100 1.58680 $158.68
250 1.54612 $386.53
500 1.34268 $671.34
1,000 1.13923 $1,139.23

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替代包装
  • 带卷(TR)  : SI7850DP-T1-GE3TR-ND
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  • Digi-Reel®  : SI7850DP-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
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  • 单价: Digi-Reel®

SI7850DP-T1-GE3

规格书
Digi-Key 零件编号 SI7850DP-T1-GE3CT-ND
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制造商

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制造商零件编号 SI7850DP-T1-GE3
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描述 MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
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制造商标准提前期 14 周
详细描述

表面贴装型 N 通道 60V 6.2A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK® SO-8

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文档与媒体
数据列表 SI7850DP
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
HTML 规格书 SI7850DP
产品属性
类型 描述 选取全部项目
类别
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 剪切带(CT) 
零件状态 有源
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 22 毫欧 @ 10.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
基本零件编号 SI7850
 
环境与出口分类
对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
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其它资源
标准包装 1
其它名称 SI7850DP-T1-GE3CT