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STW4N150 通孔 N 沟道 1500V 4A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 10.40000 $10.40
10 9.39900 $93.99
25 8.96160 $224.04
100 7.78130 $778.13
500 6.77590 $3,387.95
2,500 5.68300 $14,207.50

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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-5092-5-ND
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现有数量 2,065
可立即发货
制造商

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制造商零件编号

STW4N150

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描述 MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
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制造商标准提前期 8 周
详细描述

通孔 N 沟道 1500V 4A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3

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文档与媒体
数据列表 STxx4N150
其它有关文件 STW4N150 View All Specifications
产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs
特色产品 1500V MOSFET Family
仿真模型 STW4N150 Spice Model
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品目录页面 1441 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商 STMicroelectronics
系列 PowerMESH™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 7 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 160W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3
基本零件编号 STW4N
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
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其它资源
标准包装 ? 30
其它名称 497-5092-5

21:25:23 8/23/2019