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产品索引 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > STMicroelectronics STS4DNF60L
STS4DNF60L STMicroelectronics | 497-3226-1-ND DigiKey Electronics

STS4DNF60L 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 4A 2W 表面贴装 8-SO
采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 3.05000 $3.05
10 2.75700 $27.57
100 2.21500 $221.50
500 1.72276 $861.38
1,000 1.42742 $1,427.42

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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-3226-1-ND
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现有数量 4,896
可立即发货
制造商

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制造商零件编号

STS4DNF60L

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描述 MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
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制造商标准提前期 16 周
详细描述

2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 4A 2W 表面贴装 8-SO

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文档与媒体
数据列表 STS4DNF60L
其它有关文件 STS4DNF60L View All Specifications
产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs
仿真模型 STS4DNF60L Spice Model
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品目录页面 1442 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET™
包装 ? 剪切带（CT） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 55 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1030pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
基本零件编号 ST*4DNF
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 497-3226-1
替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择：
  • 带卷（TR） ? : 497-3226-2-ND
  • 最低订购数量: 2,500
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  • Digi-Reel® ? : 497-3226-6-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 4,896 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®

23:08:08 2/22/2019