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STQ1NK80ZR-AP 通孔 N 沟道 800V 300mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
采购与价格
 

数量
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价格分段 单价 扩充价格
1 1.16000 $1.16
10 1.01700 $10.17
100 0.77930 $77.93
500 0.61606 $308.03
1,000 0.49286 $492.86

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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-6197-1-ND
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现有数量 23,658
可立即发货
制造商

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制造商零件编号

STQ1NK80ZR-AP

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描述 MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
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制造商标准提前期 8 周
详细描述

通孔 N 沟道 800V 300mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3

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文档与媒体
数据列表 STx1NK80ZR(R-AP,-1)
产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs
特色产品 Power MOSFETs
产品目录页面 1442 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 16 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-92-3
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
配用
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05:03:02 6/26/2019