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STP5NK100Z 通孔 N 沟道 1000V 3.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 4.52000 $4.52
10 4.05700 $40.57
50 3.82740 $191.37
100 3.26080 $326.08
500 2.67906 $1,339.53
2,500 2.06672 $5,166.80
5,000 1.99017 $9,950.87

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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-4382-5-ND
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现有数量 7,196
可立即发货
制造商

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制造商零件编号

STP5NK100Z

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描述 MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
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制造商标准提前期 8 周
详细描述

通孔 N 沟道 1000V 3.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB

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文档与媒体
数据列表 STx5NK100Z
其它有关文件 STP5NK100Z View All Specifications
产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs
仿真模型 STP5NK100Z Spice Model
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品目录页面 1440 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH3™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.7 欧姆 @ 1.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1154pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
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标准包装 ? 50
其它名称 497-4382-5

21:23:12 7/20/2019