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STP150NF55 通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
采购与价格
 

数量
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价格分段 单价 扩充价格
1 5.91000 $5.91
10 5.30200 $53.02
50 5.01160 $250.58
100 4.34350 $434.35
500 3.69748 $1,848.74
2,500 2.96243 $7,406.08
5,000 2.85106 $14,255.32

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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-6117-5-ND
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现有数量 3,834
可立即发货
制造商

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制造商零件编号

STP150NF55

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描述 MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
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制造商标准提前期 12 周
详细描述

通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB

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文档与媒体
数据列表 STx150NF55
其它有关文件 STP150NF55 View All Specifications
产品培训模块 Automotive Grade Transistors and Discretes
STMicroelectronics ST MOSFETs
仿真模型 STP150NF55 Spice Model
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品目录页面 1440 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET™ II
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 190nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
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18:49:50 7/18/2019