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STP13NM60N 通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 6.34000 $6.34
50 5.09420 $254.71
100 4.64120 $464.12
500 3.75830 $1,879.15
1,000 3.16964 $3,169.64

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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-8787-5-ND
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现有数量 2,990
可立即发货
制造商

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制造商零件编号

STP13NM60N

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描述 MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
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制造商标准提前期 30 周
详细描述

通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3

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文档与媒体
数据列表 STF,I,P,U,W13NM60N
其它有关文件 STP13NM60N View All Specifications
产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs
仿真模型 STP13NM60N Spice Model
产品属性 选取全部项目
类别
制造商 STMicroelectronics
系列 MDmesh™ II
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 360 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 790pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 90W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
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标准包装 ? 50
其它名称 497-8787-5

11:10:21 4/22/2019