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STN1HNK60 表面贴装 N 沟道 600V 400mA(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
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价格分段 单价 扩充价格
1 1.49000 $1.49
10 1.31400 $13.14
100 1.03830 $103.83
500 0.80528 $402.64
1,000 0.63574 $635.74

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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-4668-1-ND
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可立即发货
制造商

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制造商零件编号

STN1HNK60

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描述 MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
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制造商标准提前期 16 周
详细描述

表面贴装 N 沟道 600V 400mA(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223

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文档与媒体
数据列表 STx1(H)NK60(-1,R)
其它有关文件 STN1HNK60 View All Specifications
产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs
仿真模型 STN1HNK60 Spice Model
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品目录页面 1442 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 400mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 156pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.3W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
配用
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12:00:27 3/19/2019