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STH3N150-2 表面贴装 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 140W(Tc) H²PAK
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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-13876-1-ND
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制造商

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制造商零件编号

STH3N150-2

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描述 MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
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制造商标准提前期 42 周
详细描述

表面贴装 N 沟道 1500V 2.5A(Tc) 140W(Tc) H²PAK

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文档与媒体
数据列表 STx3N150
产品属性 选取全部项目
类别
制造商 STMicroelectronics
系列 PowerMESH™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9 欧姆 @ 1.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29.3nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 939pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 H²PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
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04:17:19 2/22/2019