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STD70N10F4 表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 125W(Tc) DPAK
采购与价格
 

数量
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价格分段 单价 扩充价格
1 2.54000 $2.54
10 2.29600 $22.96
100 1.84480 $184.48
500 1.43480 $717.40
1,000 1.18883 $1,188.83

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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-8806-1-ND
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制造商

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制造商零件编号

STD70N10F4

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描述 MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
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详细描述

表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 125W(Tc) DPAK

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文档与媒体
数据列表 STx70N10F4
其它有关文件 STD70N10F4 View All Specifications
产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs
HTML 规格书 STx70N10F4
仿真模型 STD70N10F4 Spice Model
产品属性 选取全部项目
类别
制造商 STMicroelectronics
系列 DeepGATE™,STripFET™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 19.5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 85nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
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  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 10 - 立即发货
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23:50:52 4/22/2019