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STD3NK100Z 表面贴装 N 沟道 1000V 2.5A(Tc) 90W(Tc) DPAK
采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 4.41000 $4.41
10 3.96300 $39.63
100 3.24650 $324.65
500 2.76366 $1,381.83
1,000 2.33078 $2,330.78

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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-7967-1-ND
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可立即发货
制造商

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制造商零件编号

STD3NK100Z

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描述 MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
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制造商标准提前期 10 周
详细描述

表面贴装 N 沟道 1000V 2.5A(Tc) 90W(Tc) DPAK

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文档与媒体
数据列表 STx3NK100Z
其它有关文件 STD3NK100Z View All Specifications
产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs
特色产品 Power MOSFETs
仿真模型 STD3NK100Z Spice Model
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品属性 选取全部项目
类别
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6 欧姆 @ 1.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 18nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 601pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 90W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
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  • 现有数量: 1,777 - 立即发货
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01:48:05 7/24/2019