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STD1NK80ZT4 表面贴装 N 沟道 800V 1A(Tc) 45W(Tc) DPAK
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10 1.37100 $13.71
100 1.08380 $108.38
500 0.84046 $420.23
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产品概览
Digi-Key 零件编号 497-4751-1-ND
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制造商

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制造商零件编号

STD1NK80ZT4

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描述 MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
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详细描述

表面贴装 N 沟道 800V 1A(Tc) 45W(Tc) DPAK

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文档与媒体
数据列表 STx1NK80ZR(R-AP,-1)
其它有关文件 STD1NK80Z View All Specifications
产品培训模块 STMicroelectronics ST MOSFETs
EDA / CAD 模型 ? 从 Ultra Librarian 下载
产品目录页面 1441 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH™
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 16 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.7nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 45W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
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22:37:52 3/24/2019