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价格分段 单价 扩充价格
1 8.49000 $8.49
10 7.62200 $76.22
25 7.20560 $180.14
100 6.24500 $624.50

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替代包装
  • 卷带(TR)  : SCT2H12NYTBTR-ND
  • 最低订购数量: 400
  • 现有数量: 2,000 - 立即发货
  • 单价: $5.92465
  • Digi-Reel®  : SCT2H12NYTBDKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 2,247 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®

SCT2H12NYTB

规格书
Digi-Key 零件编号 SCT2H12NYTBCT-ND
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制造商

Rohm Semiconductor

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制造商零件编号 SCT2H12NYTB
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描述 SICFET N-CH 1700V 4A TO268
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制造商标准提前期 15 周
详细描述

表面贴装型 N 通道 1700V 4A(Tc) 44W(Tc) TO-268

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客户内部零件编号
文档与媒体
数据列表 SCT2H12NY
TO-268-2L Taping Spec
其它有关文件 SiC Flammability
MOS-2GSMD Reliability Test
产品培训模块 SiC Trench MOSFETs
RoHS指令信息 SiC Level 1 MSL
SiC Whisker Info
SCT2750NY ESD Data
特色产品 SiC Power MOSFETs
HTML 规格书 TO-268-2L Taping Spec
仿真模型 SCT2H12NY Spice Model
产品属性
类型 描述 选取全部项目
类别
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 剪切带(CT) 
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1700V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 18V
Vgs(最大值) +22V,-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 184pF @ 800V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 44W(Tc)
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-268
封装/外壳 TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
基本零件编号 SCT2H12
 
环境与出口分类
对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
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其它资源
标准包装 1
其它名称 SCT2H12NYTBCT