FQD2N100TM 表面贴装型 N 通道 1000V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252AA
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FQD2N100TM

规格书
Digi-Key 零件编号 FQD2N100TMTR-ND
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制造商

ON Semiconductor

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制造商零件编号 FQD2N100TM
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描述 MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
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详细描述

表面贴装型 N 通道 1000V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252AA

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客户内部零件编号
产品属性
类型 描述 选取全部项目
类别
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包装 卷带(TR) 
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9 欧姆 @ 800mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.5nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 520pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本零件编号 FQD2N100
 
环境与出口分类
对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
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其它资源
标准包装 2,500
其它名称 FQD2N100TM-ND
FQD2N100TMTR