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价格分段 单价 扩充价格
1 2.31000 $2.31
10 2.07000 $20.70
25 1.95240 $48.81
100 1.52300 $152.30
250 1.48392 $370.98
500 1.28866 $644.33
1,000 1.09340 $1,093.40

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替代包装
  • 带卷(TR)  : FDMS8018TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 117,000 - 立即发货
  • 单价: $1.10110
  • Digi-Reel®  : FDMS8018DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 122,940 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®

FDMS8018

规格书
Digi-Key 零件编号 FDMS8018CT-ND
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制造商

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制造商零件编号 FDMS8018
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描述 MOSFET N-CH 30V 30A 8PQFN
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制造商标准提前期 18 周
详细描述

表面贴装型 N 通道 30V 30A(Ta),120A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) 8-PQFN(5x6)

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文档与媒体
数据列表 FDMS8018
RoHS指令信息 Material Declaration FDMS8018
特色产品 Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
PCN 设计/规格 Logo 17/Aug/2017
PCN 组件/产地 Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
PCN 封装 Mult Devices 24/Oct/2017
产品属性
类型 描述 选取全部项目
类别
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 剪切带(CT) 
零件状态 有源
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Ta),120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 61nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5235pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-PQFN(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN
基本零件编号 FDMS80
 
环境与出口分类
对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
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其它资源
标准包装 1
其它名称 FDMS8018CT