IPD60R180P7SAUMA1 表面贴装型 N 通道 600V 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
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价格分段 单价 总价
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10 2.38000 $23.80
100 1.91300 $191.30
500 1.57172 $785.86
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替代包装

IPD60R180P7SAUMA1

规格书
Digi-Key 零件编号 IPD60R180P7SAUMA1CT-ND
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制造商

Infineon Technologies

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制造商零件编号 IPD60R180P7SAUMA1
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描述 MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
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制造商标准提前期 26 周
详细描述

表面贴装型 N 通道 600V 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3

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客户内部零件编号
文档与媒体
数据列表 IPD60R180P7S
PCN 组件/产地 Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021
HTML 规格书 IPD60R180P7S
仿真模型 CoolMOS™ Power MOSFET 600V P7 Spice Model
产品属性
类型 描述 选取全部项目
类别
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™ P7
包装 剪切带(CT) 
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1081pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 72W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本零件编号 IPD60R180
 
环境与出口分类
对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 3(168 小时)
配用

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其它资源
标准包装 1
其它名称 IPD60R180P7SAUMA1CT