价格分段	单价	扩充价格
1	12.57000	$12.57
10	11.31600	$113.16
25	10.30960	$257.74
100	9.30390	$930.39
250	8.54956	$2,137.39

价格分段

单价

扩充价格

12.57000

$12.57

11.31600

$113.16

10.30960

$257.74

100

9.30390

$930.39

250

8.54956

$2,137.39

Digi-Key 零件编号	917-1132-1-ND	复制
现有数量	3,224 可立即发货
制造商	EPC	复制
制造商零件编号	EPC2034	复制
描述	GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE	复制
制造商标准提前期	12 周
详细描述	表面贴装 N 沟道 200V 48A（Ta）模具	复制

Digi-Key 零件编号

917-1132-1-ND

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现有数量

3,224
可立即发货

制造商

EPC

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制造商零件编号

EPC2034

复制

描述

GANFET TRANS 200V 48A BUMPED DIE

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制造商标准提前期

12 周

详细描述

表面贴装 N 沟道 200V 48A（Ta）模具

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数据列表	EPC2034 Datasheet EPC2034 Errata
应用说明	Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs
特色产品	EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs
参考设计库	EPC9048: 12A, 0 ~ 160V, Half H-Bridge
PCN 组件/产地	Site Change 13/Mar/2017 EPC2/8 10/Apr/2017 Mult Dev TR Assembly Chg 14/Dec/2018

数据列表

EPC2034 Datasheet
EPC2034 Errata

应用说明

Assembling eGaN® FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN® FETs

特色产品

EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs

参考设计库

EPC9048: 12A, 0 ~ 160V, Half H-Bridge

PCN 组件/产地

Site Change 13/Mar/2017
EPC2/8 10/Apr/2017
Mult Dev TR Assembly Chg 14/Dec/2018

产品属性	选取全部项目
类别	分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商	EPC
系列	eGaN®
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
FET 类型	N 沟道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	48A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	10 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	8.8nC @ 5V
Vgs（最大值）	+6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	950pF @ 100V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-40°C ~ 140°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	模具
封装/外壳	模具

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）	1（无限）

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）

1（无限）