价格分段	单价	扩充价格
1	12.13000	$12.13
10	10.92100	$109.21
25	9.95000	$248.75
100	8.97940	$897.94
250	8.25140	$2,062.85

价格分段

单价

扩充价格

12.13000

$12.13

10.92100

$109.21

9.95000

$248.75

100

8.97940

$897.94

250

8.25140

$2,062.85

Digi-Key 零件编号	917-1131-1-ND	复制
现有数量	6,420 可立即发货
制造商	EPC	复制
制造商零件编号	EPC2033	复制
描述	GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE	复制
制造商标准提前期	12 周
详细描述	表面贴装 N 沟道 150V 31A（Ta）模具	复制

Digi-Key 零件编号

917-1131-1-ND

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现有数量

6,420
可立即发货

制造商

EPC

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制造商零件编号

EPC2033

复制

描述

GAN TRANS 150V 7MOHM BUMPED DIE

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制造商标准提前期

12 周

详细描述

表面贴装 N 沟道 150V 31A（Ta）模具

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数据列表	EPC2033 Datasheet
应用说明	Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs
特色产品	EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs
PCN 组件/产地	Site Change 13/Mar/2017 EPC2/8 10/Apr/2017 Mult Dev TR Assembly Chg 14/Dec/2018

数据列表

EPC2033 Datasheet

应用说明

Assembling eGaN® FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN® FETs

特色产品

EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs

PCN 组件/产地

Site Change 13/Mar/2017
EPC2/8 10/Apr/2017
Mult Dev TR Assembly Chg 14/Dec/2018

产品属性	选取全部项目
类别	分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商	EPC
系列	eGaN®
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
FET 类型	N 沟道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	31A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	7 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1140pF @ 75V
FET 功能	-
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	模具
封装/外壳	模具

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）	1（无限）

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）

1（无限）