价格分段	单价	扩充价格
1	9.64000	$9.64
10	8.60400	$86.04
25	7.74320	$193.58
100	7.05510	$705.51
250	6.36672	$1,591.68

价格分段

单价

扩充价格

9.64000

$9.64

8.60400

$86.04

7.74320

$193.58

100

7.05510

$705.51

250

6.36672

$1,591.68

Digi-Key 零件编号	917-1085-1-ND	复制
现有数量	13,652 可立即发货
制造商	EPC	复制
制造商零件编号	EPC2010C	复制
描述	GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE	复制
制造商标准提前期	12 周
详细描述	表面贴装 N 沟道 200V 22A（Ta）模具剖面（7 焊条）	复制

Digi-Key 零件编号

917-1085-1-ND

复制

现有数量

13,652
可立即发货

制造商

EPC

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制造商零件编号

EPC2010C

复制

描述

GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE

复制

制造商标准提前期

12 周

详细描述

表面贴装 N 沟道 200V 22A（Ta）模具剖面（7 焊条）

复制

数据列表	EPC2010C Datasheet
应用说明	Second Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETs Die Attach Procedure Die Removal Procedure Using eGaN® FETs
产品培训模块	eGaN® FET Reliability
特色产品	EPC Low Voltage eGaN® FETs EPC9052/53/54 Development Boards
参考设计库	EPC9054: 1A, Wireless Power Amp, 0 ~ 40V, ~ 60V, ~ 80V EPC9003C: 5A, 200V, Half Bridge
PCN 组件/产地	Site Change 13/Mar/2017 EPC2/8 10/Apr/2017 Mult Dev TR Assembly Chg 14/Dec/2018

数据列表

EPC2010C Datasheet

应用说明

Second Generation eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETs
Die Attach Procedure
Die Removal Procedure
Using eGaN® FETs

产品培训模块

eGaN® FET Reliability

特色产品

EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards

参考设计库

EPC9054: 1A, Wireless Power Amp, 0 ~ 40V, ~ 60V, ~ 80V
EPC9003C: 5A, 200V, Half Bridge

PCN 组件/产地

Site Change 13/Mar/2017
EPC2/8 10/Apr/2017
Mult Dev TR Assembly Chg 14/Dec/2018

产品属性	选取全部项目
类别	分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商	EPC
系列	eGaN®
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
FET 类型	N 沟道
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	22A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	25 毫欧 @ 12A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	5.3nC @ 5V
Vgs（最大值）	+6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	540pF @ 100V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	模具剖面（7 焊条）
封装/外壳	模具

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）	1（无限）

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）

1（无限）