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产品索引 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > EPC EPC2010C
EPC2010C EPC | 917-1085-1-ND DigiKey Electronics

EPC2010C 表面贴装型 N 通道 200V 22A（Ta） 模具剖面（7 焊条）
采购与价格
4,647 现有库存
可立即发货
 

数量
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价格分段 单价 扩充价格
1 9.19000 $9.19
10 8.25200 $82.52
25 7.80080 $195.02
100 6.24060 $624.06
250 5.89388 $1,473.47

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替代包装
  • 带卷（TR）  : 917-1085-2-ND
  • 最低订购数量: 500
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  • 单价: $5.38560
  • Digi-Reel®  : 917-1085-6-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 4,647 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®

EPC2010C

规格书
Digi-Key 零件编号 917-1085-1-ND
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制造商

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制造商零件编号 EPC2010C
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描述 GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE
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制造商标准提前期 12 周
详细描述

表面贴装型 N 通道 200V 22A（Ta） 模具剖面（7 焊条）

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文档与媒体
数据列表 EPC2010C Datasheet
产品培训模块 eGaN® FET Reliability
视频文件 EPC's Alex Lidow shows off their latest wide-bandgap solutions at APEC
PSDtv - EPC on Why Silicon is Dead at APEC 2019
Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
特色产品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards
参考设计库 EPC9003C: 5A, 200V, Half Bridge
PCN 组件/产地 Site Change 13/Mar/2017
产品属性
类型 描述 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 EPC
系列 eGaN®
包装 剪切带（CT） 
零件状态 有源
FET 类型 N 通道
技术 GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 12A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 5.3nC @ 5V
Vgs（最大值） +6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 540pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 模具剖面（7 焊条）
封装/外壳 模具
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
配用
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标准包装 1
其它名称 917-1085-1