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EPC2001C EPC | 917-1079-1-ND DigiKey Electronics

EPC2001C 表面贴装 N 沟道 100V 36A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 6.94000 $6.94
10 6.20200 $62.02
25 5.58200 $139.55
100 5.08570 $508.57
250 4.58948 $1,147.37
500 4.11816 $2,059.08
1,000 3.47314 $3,473.14

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产品概览
Digi-Key 零件编号 917-1079-1-ND
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现有数量 58,418
可立即发货
制造商

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制造商零件编号

EPC2001C

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描述 GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
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制造商标准提前期 12 周
详细描述

表面贴装 N 沟道 100V 36A（Ta） 模具剖面（11 焊条）

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文档与媒体
数据列表 EPC2001C Datasheet
产品培训模块 eGaN® FET Reliability
视频文件 How eGaN transistor technology improves lidar performance
EPC's Alex Lidow shows off their latest wide-bandgap solutions at APEC
PSDtv - EPC on Why Silicon is Dead at APEC 2019
特色产品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
参考设计库 EPC9102: 12V @ 8 ~ 17A, 48V in
EPC9118: 5V @ 20A, 30 ~ 60 Vin, Buck
EPC9013: 35A, 100V, Half Bridge
EPC9019: 20A, 0 ~ 80V, Half H-Bridge
EPC9126HC: 150A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
PCN 设计/规格 Mfg Process Update 29/Mar/2016
PCN 组件/产地 Site Change 13/Mar/2017
EPC2/8 10/Apr/2017
EPC2YYY 20/Sep/2018
产品属性 选取全部项目
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 EPC
系列 eGaN®
包装 ? 剪切带（CT） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 9nC @ 5V
Vgs（最大值） +6V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 900pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 模具剖面（11 焊条）
封装/外壳 模具
 
环境与出口分类
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
配用
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