DMN65D8LFB-7B 表面贴装型 N 通道 60V 260mA(Ta) 430mW(Ta) X1-DFN1006-3
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DMN65D8LFB-7B

规格书
Digi-Key 零件编号 DMN65D8LFB-7BDICT-ND
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制造商

Diodes Incorporated

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制造商零件编号 DMN65D8LFB-7B
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描述 MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
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制造商标准提前期 40 周
详细描述

表面贴装型 N 通道 60V 260mA(Ta) 430mW(Ta) X1-DFN1006-3

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客户内部零件编号
文档与媒体
数据列表 DMN65D8LFB
RoHS指令信息 Diodes RoHS 3 Cert
PCN 组件/产地 Mult Dev A/T Site 7/Apr/2021
产品属性
类型 描述 选取全部项目
类别
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 剪切带(CT) 
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 260mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3 欧姆 @ 115mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 25pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 430mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 X1-DFN1006-3
封装/外壳 3-UFDFN
基本零件编号 DMN65
 
环境与出口分类
对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
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其它资源
标准包装 1
其它名称 DMN65D8LFB-7BDICT