DMG1012T-7 表面贴装型 N 通道 20V 630mA(Ta) 280mW(Ta) SOT-523
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DMG1012T-7

规格书
Digi-Key 零件编号 DMG1012T-7DICT-ND
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制造商

Diodes Incorporated

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制造商零件编号 DMG1012T-7
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描述 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
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制造商标准提前期 52 周
详细描述

表面贴装型 N 通道 20V 630mA(Ta) 280mW(Ta) SOT-523

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客户内部零件编号
文档与媒体
数据列表 DMG1012T
RoHS指令信息 Diodes RoHS 3 Cert
设计资源 Available In the Digi-Key KiCad Library
PCN 设计/规格 Bond Wire 11/Nov/2011
PCN 组件/产地 Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
HTML 规格书 DMG1012T
产品属性
类型 描述 选取全部项目
类别
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 剪切带(CT) 
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 630mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.74nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 60.67pF @ 16V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 280mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-523
封装/外壳 SOT-523
基本零件编号 DMG1012
 
环境与出口分类
对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
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其它资源
标准包装 1
其它名称 DMG1012T-7DICT