FQD2N100 ON Semiconductor - 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

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比较零件 Datasheets 图像 Digi-Key 零件编号 制造商零件编号 制造商 描述 现有数量
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SGD
最低订购数量 包装 系列 零件状态 FET 类型 技术 漏源电压(Vdss) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) Vgs(最大值) 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) FET 功能 功率耗散(最大值) 工作温度 安装类型 供应商器件封装 封装/外壳
   
FQD2N100TM Datasheet FQD2N100TM - ON Semiconductor FQD2N100TMTR-ND FQD2N100TM ON Semiconductor MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK 0 可供应: 0 $0.78671 2,500 最低订购数量 : 2,500 卷带(TR)
可替代的包装
QFET® 在售 N 通道 MOSFET(金属氧化物) 1000V 1.6A(Tc) 10V 9 欧姆 @ 800mA,10V 5V @ 250µA 15.5nC @ 10V ±30V 520pF @ 25V
-
2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装型 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD2N100TM Datasheet FQD2N100TM - ON Semiconductor FQD2N100TMCT-ND FQD2N100TM ON Semiconductor MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK 53 - 立即发货 可供应: 53 $1.63000 1 最低订购数量 : 1 剪切带(CT)
可替代的包装
QFET® 在售 N 通道 MOSFET(金属氧化物) 1000V 1.6A(Tc) 10V 9 欧姆 @ 800mA,10V 5V @ 250µA 15.5nC @ 10V ±30V 520pF @ 25V
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2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装型 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FQD2N100TM Datasheet FQD2N100TM - ON Semiconductor FQD2N100TMDKR-ND FQD2N100TM ON Semiconductor MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK 53 - 立即发货 可供应: 53 Digi-Reel® 1 最低订购数量 : 1 Digi-Reel® 得捷定制卷带
可替代的包装
QFET® 在售 N 通道 MOSFET(金属氧化物) 1000V 1.6A(Tc) 10V 9 欧姆 @ 800mA,10V 5V @ 250µA 15.5nC @ 10V ±30V 520pF @ 25V
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2.5W(Ta),50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 表面贴装型 TO-252AA TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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