利用紧凑型电源解决方案减小设计尺寸

onsemi 致力于推动能效创新，拥有全面的产品组合和业界领先的技术能力，可帮助工程师解决汽车、通信、计算机、消费、工业、医疗、军事和航空航天等应用领域严苛的设计难题。

当今世界，消费者与工程师都需要外形更小巧、功能更强大、能效更高的解决方案。 onsemi 的紧凑型电源解决方案有助于解决这些难题，它提供多种高功率密度设备（比如氮化镓晶体管和槽沟式肖特基整流器）以及高度集成的设备（包括紧凑型 IPM 和 PIM）。

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600 V 氮化镓级联晶体管
极低的反向恢复电荷

600 V 氮化镓级联晶体管

onsemi600 V 氮化镓 (GaN) 级联晶体管性能卓越，适用于注重功率密度和能效的应用。 NTP8G202N 和 NTP8G206N 针对功率范围在 200 W 至 1000 W 的紧凑型电源和适配器而设计，其典型导通电阻分别为 290 mΩ 和 150 mΩ。 onsemi 的氮化镓技术可实现极快的开关速度，显著减少了电源内所需无源元件的尺寸。 采用优化型 TO-220 封装，可针对现有生产能力轻松集成。

主要特性

  • 极低 Qrr
  • 开关速度快
  • 无铅、无卤素、无 BFR
  • 符合 RoHS 规范
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紧凑型智能电源模块 (IPM)
减少了所需 PCB 空间和外设元件

紧凑型智能电源模块

STK5Q4U352J-E 和 STK5Q4U362J-E 均为高度集成的 600 V、8 / 10 A 紧凑型智能电源模块 (IPM)，内置有用于高压侧栅极驱动的自举电路。 设备采用紧凑型 DIP 封装，集成了 HVIC、IGBT、电容器、电阻器、二极管和热敏电阻等多个元件，涵盖了高压三相电机驱动设计所需的全部关键功能。 输出级采用精良的 IGBT/FRD 技术，性能更高。 常见应用领域包括空调、工业电机控制和白色家电。

主要特性

  • 减少了所需 PCB 空间和外设元件
  • 所有通道均适用欠压锁定
  • 上限/下限防护电路
  • 过流保护电路
  • 热敏电阻（用于外壳温度监视）
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槽沟式肖特基整流器
以业界领先的小型封装实现了卓越性能

槽沟式肖特基整流器

onsemi 的槽沟式肖特基整流器采用全新的低正向电压槽沟式肖特基技术，可实现低正向压降，而无需像使用平面肖特基整流器一样以高反向漏电流为代价。 onsemi 的沟槽式技术以业界领先的小型封装实现了卓越性能。 该平台开关特性非常稳定，温度范围宽，是适用于开关电源的理想输出整流器。

主要特性

  • 开关速度快，温度稳定性卓越
  • 功率损耗低，工作温度更低
  • 能效更高，符合各种法规
  • 热阻低
  • 高浪涌抑制能力
  • SO-8FL 和 SOD123-FL 紧凑型封装
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具备超宽输入电压范围的线性稳压器
超低静态电流最大限度降低了系统待机功耗

NCP785A 图

NCP785A 是一款高性能的 <10 mA 线性稳压器，拥有非常宽的输入工作电压范围（高达 450 V），最高可在 700 V DC 下工作。 拥有 ±5% 的输出电压精度、超高的电源抑制比和超低的静态电流，是工业、家庭自动化、智能计量和家用电器等应用的理想选择。

主要特性

  • 超低静态电流最大限度降低了系统待机功耗
  • 输入电压范围在 5 V 至 450 V 之间，可直接通过 120 VAC / 230 VAC 整流电源电压工作
  • 120 Hz 时具有非常高的 PSRR（典型值为 80 dB），可确保对 AC 市电纹波进行有效滤波
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功率集成模块 (PIM)
集成的高性能 IGBT 和坚固的反向并联二极管

功率集成模块 (PIM) 图

功率集成模块采用 onsemi 专有的 Trench Field Stop II 技术，配备坚固的超快速恢复二极管。NXH80T120L2Q0PG PIM 模块配置在 1200 V、80 A 半桥和 600 V、50 A 中性点箝位 T 形拓扑结构中，能效可超 98%。 该可配置封装平台采用高功率直接绑定铜 (DBC) 基底技术和专有的压接引脚，可为客户提供性能优异的可靠电源模块解决方案。 常见应用领域包括不间断电源 (UPS)、工业用变频驱动器和太阳能逆变器。

主要特性

  • 集成的高性能 IGBT 和坚固的反向并联二极管
  • 高功率密度
  • 低电感布局
  • 短路保护能力
  • Q0PACK 封装（压接引脚）
NXH80T120L2Q0 查看详情页链接

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