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产品概览
Digi-Key 零件编号 SUM110N10-09-E3CT-ND
现有数量 10,002
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SUM110N10-09-E3

描述 MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
扩展描述 N-Channel 100V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SUM110N10-09
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 Assembly Site Add 9/Jun/2016
产品目录页面 1543 (SG092-10 PDF)
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6700pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.75W(Ta),375W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.5 毫欧 @ 30A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-263(D²Pak)
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SUM110N10-09-E3-ND
SUM110N10-09-E3CT

13:32:46 2/21/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 4.47000 4.47
10 4.01700 40.17
25 3.79840 94.96
100 3.29210 329.21
250 3.12324 780.81

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SUM110N10-09-E3TR-ND
  • 最低订购数量: 800
  • 现有数量: 8,800 - 立即发货
  • 单价: 2.72086
  • Digi-Reel® ? : SUM110N10-09-E3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 10,002 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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