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产品概览
Digi-Key 零件编号 SUD50N03-09P-E3CT-ND
现有数量 838
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SUD50N03-09P-E3

描述 MOSFET N-CH 30V 63A TO252
扩展描述 N-Channel 30V 63A (Tc) 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SUD50N03-09P
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 Assembly Site Add 9/Jun/2016
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 63A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 7.5W(Ta),65.2W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.5 毫欧 @ 20A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SUD50N03-09P-E3CT

21:43:57 3/23/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 2.48000 2.48
10 2.22300 22.23
25 2.09680 52.42
100 1.78640 178.64
250 1.67744 419.36
500 1.46774 733.87
1,000 1.21612 1,216.12

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • Digi-Reel® ? : SUD50N03-09P-E3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
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  • 单价: Digi-Reel®
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