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产品概览
Digi-Key 零件编号 SQS401EN-T1_GE3CT-ND
现有数量
制造商

制造商零件编号

SQS401EN-T1_GE3

描述 MOSFET P-CH 40V 16A
扩展描述 P-Channel 40V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 14 周
文档与媒体
数据列表 SQS401EN
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014
PCN 零件编号 New Ordering Code 19/Mar/2015
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1875pF @ 20V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 62.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 29 毫欧 @ 12A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
 
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标准包装 ? 1
其它名称 SQS401EN-T1_GE3CT

10:08:46 1/24/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.71000 1.71
10 1.52900 15.29
25 1.45160 36.29
100 1.19250 119.25
250 1.11468 278.67
500 0.98508 492.54
1,000 0.77769 777.69

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