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产品概览
Digi-Key 零件编号 SIS427EDN-T1-GE3CT-ND
现有数量 12,344
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SIS427EDN-T1-GE3

描述 MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
扩展描述 P-Channel 30V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SIS427EDN
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1930pF @ 15V
Vgs(最大值) ±25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.7W(Ta),52W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10.6 毫欧 @ 11A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
 
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标准包装 ? 1
其它名称 SIS427EDN-T1-GE3CT

11:31:48 2/28/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 1.10000 1.10
10 0.96300 9.63
25 0.90400 22.60
100 0.73790 73.79
250 0.68532 171.33
500 0.58326 291.63
1,000 0.46661 466.61

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SIS427EDN-T1-GE3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 12,000 - 立即发货
  • 单价: 0.41055
  • Digi-Reel® ? : SIS427EDN-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 12,344 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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