添加至偏好
产品概览
Digi-Key 零件编号 SIS412DN-T1-GE3CT-ND
现有数量 65,795
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SIS412DN-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
文档与媒体
数据列表 SIS412DN
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
产品属性 选取全部项目
类别

分立半导体产品

家庭

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 24 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 435pF @ 15V
功率 - 最大值 15.6W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
 
您可能还对以下元器件感兴趣
其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SIS412DN-T1-GE3CT

06:58:37 12/5/2016

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 0.91000 0.91
10 0.80200 8.02
25 0.75320 18.83
100 0.61490 61.49
250 0.57112 142.78
500 0.48606 243.03
1,000 0.38885 388.85

如果所需数量大于此处所列数量,请提交 报价请求

替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SIS412DN-T1-GE3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 63,000 - 立即发货
  • 单价: 0.34213
  • Digi-Reel® ? : SIS412DN-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 65,795 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
请发送您的反馈意见