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产品概览
Digi-Key 零件编号 SIRA00DP-T1-GE3CT-ND
现有数量 14,191
可立即发货
制造商

制造商零件编号

SIRA00DP-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
扩展描述 N-Channel 30V 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 15 周
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 220nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11700pF @ 15V
Vgs(最大值) +20V,-16V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 6.25W(Ta),104W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1 毫欧 @ 20A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
 
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其它资源
标准包装 ? 1
其它名称 SIRA00DP-T1-GE3CT

14:59:37 2/23/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 3.37000 3.37
10 3.02300 30.23
25 2.85200 71.30
100 2.43030 243.03
250 2.28192 570.48
500 1.99664 998.32
1,000 1.65437 1,654.37

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替代的封装 | 本零件更有以下封装可供选择:
  • 带卷(TR) ? : SIRA00DP-T1-GE3TR-ND
  • 最低订购数量: 3,000
  • 现有数量: 9,000 - 立即发货
  • 单价: 1.49540
  • Digi-Reel® ? : SIRA00DP-T1-GE3DKR-ND
  • 最低订购数量: 1
  • 现有数量: 14,191 - 立即发货
  • 单价: Digi-Reel®
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