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产品概览
Digi-Key 零件编号 SIR870DP-T1-GE3CT-ND
现有数量
制造商

制造商零件编号

SIR870DP-T1-GE3

描述 MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
扩展描述 N-Channel 100V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 19 周
文档与媒体
数据列表 SiR870DP
视频文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组件/产地 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
产品属性 选取全部项目
类别
制造商

Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®
包装 ? 剪切带(CT) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2840pF @ 50V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 6.25W(Ta),104W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
 
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标准包装 ? 1
其它名称 SIR870DP-T1-GE3CT

22:42:16 3/25/2017

采购与价格
 

数量
全部价格均按 SGD 计价。
价格分段 单价 扩充价格
1 4.00000 4.00
10 3.60000 36.00
25 3.39680 84.92
100 2.89400 289.40
250 2.71740 679.35
500 2.37772 1,188.86
1,000 1.97011 1,970.11

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